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ニュースリリース2009

窒化ガリウム事業展開に向けた新棟完成のお知らせ

2009年3月31日

このたび、当社(社長:相馬 信義)では、窒化ガリウム(GaN)関連の開発拠点として栃木県小山市に建設しておりました新棟が完成いたしました。

窒化ガリウム(GaN)基板は、当社の中期経営計画(2008~2010年度)において、「次世代半導体材料等の新製品の開 発と市場投入」として位置づけ、もっとも力を入れている研究開発製品の一つです。  GaN基板は、ブルーレイディスクなどの青紫レーザーダイオード(LD)や、蛍光灯に変わる高輝度白色発光ダイオード(LED)、将来の電気自動車向け のパワーデバイス用基板として、量産化・低価格化への期待が集まっています。
当社は、平成20年4月に研究開発本部内にGaN基板関連の事業化 を目指してナイトライド事業室を新設いたしました。今回完成した新棟は、分散していた開発拠点を集約し、GaN基板の量産化を加速させるため、当社グルー プ小山工場敷地内に建設していたもので、地上3階建、延床面積2,999.25㎡の施設として、平成21年3月24日に竣工式を迎えました。なお、この新 棟には、現在窒化物半導体のエピタキシャル成長基板の事業を展開しており、当社と資本・業務提携している株式会社パウデックも移転いたします。当社は、 GaN基板を用いたエピタキシャル成長基板にも進出することを目指しており、パウデック社と共同で技術の開発並びに生産体制の構築を進めていきます。
新棟の完成により、当社の窒化物半導体開発の強化を図り、2010年度の事業本格化に向けた展開を一層推進してまいります。

《新棟の概要》

所在地 栃木県小山市若木町一丁目23番15号
(当社グループの古河産機システムズ株式会社小山工場敷地内)
建築面積 1,005.31m2
延床面積 2,999.25m2
建物構造 鉄骨造 3階建
完成 平成21年3月

以上

古河機械金属グループ