HVPE(Hｙｄride Vapor Phase Epitaxy)法1)による気相成長によって窒化ガリウム結晶を作製しています。独自のFIELO(facet-initiated epitaxial lateral overgrowth)法2)により、結晶全面に亘って転位密度の低減化を図っています。この結晶を研磨・加工することで、２インチφ窒化ガリウム基板を提供しています。

1)HVPE法
半導体単結晶を作製するための気相成長法の一つの手法。窒化ガリウム単結晶作製のためには、塩化ガリウムとアンモニアを原料ガスとして用いる。成長速度が速いことが特徴で、窒化ガリウムの基板作製手法としては、唯一実用化されている。

2)FIELO法
窒化ガリウム結晶中の転位を低減させる手法で、結晶の成長初期に、結晶特有なファセット面を作製させることで、貫通転位の大幅な低減が可能となった。これにより、窒化ガリウム基板全面に亘って、3x10⁶cm^-2以下の低転位密度を実現している。